Subject : 電気および磁気で用いられる単位

カテゴリー: 学びの館

 電気および磁気で用いられる単位
カテゴリー単位の名称単位記号定義・備考
電流アンペア真空中に1mの間隔で平行に置いた無限に小さい円形断面積を有する無間に長い2本の直線状導体のそれぞれを流れ、これらの導体の長さ1mごとに2×10−7ニュートンの力を及ぼし合う不変の電流
キロアンペアkA接頭語付きSI単位
ミリアンペアmA
電荷・電気量クーロン1Aの不変の電流によって1s間に運ばれる電気量
アンペア時A・hSI組立併用単位
体積電荷密度・電荷密度クーロン毎立方メートルC/m帯電体の体積1mあたりに1Cの電荷が分布するときの体積電荷密度
クーロン毎立方ミリメートルC/mm 接頭語付きSI組立単位
1C/mm=10C/m
表面電荷密度クーロン毎平方メートルC/m表面積1mあたりに1Cの電荷が分布するときの表面電荷密度
ミリクーロン毎平方ミリメートルC/mm接頭語付きSI組立単位
1C/mm=10C/m
電界の強さボルト毎メートルV/m1Cの電気量を有する無限に小さい静止している帯電体に働く力の大きさが1Nである真空中の電解の強さ
ミリボルト毎メートルmV/m 接頭語付きSI組立単位
電位・電圧ボルト1Aの不変の電流が流れ導体の2点間で消費される電力が1Wであるとき、その点間の電位
ミリボルトmV接頭語付きSI組立単位
電束密度・電気変位クーロン毎平方メートルC/m電束の方向に垂直な面の1mにつき1Cの電束密度
クーロン毎平方ミリメートルC/mm接頭語付きSI組立単位
1C/mm=10C/m
電束・電気変位束クーロン1Cの電荷から出る電束
ミリクーロンmC 接頭語付きSI組立単位
静電容量ファラド1Cの電気量を充電した時1Vの電圧を生ずる2導体間の静電容量
マイクロファラドμF接頭語付きSI組立単位
ピコファラドpF
誘電率ファラド毎メートルF/m誘電体中に1V/mの電荷が存在するとき、その誘電体中の電束密度が1C/mとなる場合のその誘電体の誘電率
マイクロファラド毎メートルμF/m 接頭語付きSI組立単位
1μ/F=10−9F/m
磁界の強さアンペア毎メートルA/m一様な磁界において磁界の方向に沿って1m離れた2点間の起磁力が1Aである磁界の強さ
アンペア毎ミリメートルA/mm 接頭語付きSI組立単位
1A/mm=10A/m
アンペア回数毎メートルAT/m非SI単位
1AT/m=1A/m
磁束密度テスラ磁界の方向に垂直な面の1mにつき1Wbの磁束密度
ウェーバ毎平方メートル Wb/
SI組立単位
1Wb/m=1T
ガウスGs CGS系の非SI単位
1Gs=0.1mT
ガンマγ CGS系の非SI単位
1γ=1nT
磁束ウェーバWb1回巻きの閉回路と鎖交する磁束が一様に減少してその回路に1Vの起電力を生じているとき、1s間に変化する磁束
ミリウェーバmWb接頭語付きSI組立単位
マクスウェルMx CGS系の非SI単位
1Mx=10−8Wb
自己インダクタンスヘンリー磁界内のある点の磁束密度がBWb/mであるとき、B=rotAと表されるベクトルポテンシャルAの単位
ミリヘンリーmH接頭語付きSI組立単位
透磁率ヘンリー毎メートルH/m磁性体中に1A/mの磁界が存在するとき、その磁性体中の磁束密度が1Tとなるときの透磁率
マイクロヘンリー毎メートルμH/m 接頭語付きSI組立単位
電気抵抗オームΩ1Aの電流が流れる導体の2点間の電圧が1Vであるとき、その2点間の電気抵抗
キロオームkΩ接頭語付SI組立単位
メグオームMΩ
抵抗率オームメートルΩm1A/mの電流密度の電流が流れている導体に、電流の方向1mごとに1Vの電圧を生ずるときの抵抗率
キロオームメートルkΩm接頭語付きSI組立単位
導電率ジーメンス毎メートルS/m手効率が1Ω・mである導体の導電率
キロジーメンス毎メートルkS/m接頭語付きSI組立単位
磁気抵抗毎ヘンリー−11Wbの磁束が通る磁路の2点間の磁位差が1Aであるときの2点間の磁気抵抗
アンペア毎ウェーバA/WbSI組立単位
1A/Wb=1H−1
アンペア回数毎ウェーバAT/Wb非SI単位
1AT/Wb=1H−1
電力量ジュール1Jの仕事に相当する電力量
ワット秒W・sSI組立単位
1W・s=1J


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