半導体産業で使われるガスの許容濃度

半導体産業で使われるガスの許容濃度

分類	ガス名称	化学式	許容濃度	メモ
水 素 化 物	モノシラン	SiH4	5ppm	TWA
	ジシラン	Si2H6	規定なし	（参考 : SiH4 TWA 5ppm)
	ホスフィン	PH3	0.3ppm	TWA
	アルシン	AsH3	0.05ppm	TWA
	ジボラン	B2H6	0.1ppm	TWA
	セレン化水素	H2Se	0.05ppm	TWA
	硫化水素	H2S	10ppm	TWA
	ゲルマン	GeH4	0.2ppm	TWA
ハ ロ ゲ ン 化 物	六フッ化タングステン	WF6	5mg/m3	（参考 : フッ化物 TWA 2.5mg/m3）
	三フッ化ホウ素	BF3	1ppm	STEL-C
	三塩化ホウ素	BCl3	規定なし	（参考 : HCl STEL-C 2ppm）
	四フッ化ケイ素	SiF4	規定なし	（参考 : フッ化物 TWA 2.5mg/m3）
	四塩化ケイ素	SiCl4	規定なし	（参考 : HCl STEL-C 2ppm）
	三塩化リン	PCl3	0.2ppm	TWA
	三塩化ヒ素	AsCl3	規定なし	（参考 : Alおよび化合物/アルキル化合物 TWA 2mg/m3）
	オキシ塩化リン	POCl3	0.1ppm	TWA
	四塩化ゲルマン	GeCl4	規定なし	（参考 : HCl STEL-C 2ppm）
	弗化水素	HF	3ppm	STEL-C
	塩化水素	HCl	5ppm	STEL-C（2ppm）
	臭化水素	HBr	2ppm	STEL-C
	三フッ化窒素	NF3	10ppm	TWA
	四フッ化メタン	CF4	−
	六フッ化エタン	C2F6	−
	六フッ化硫黄	SF6	1000ppm	TWA
ハ ロ ゲ ン	フッ素	F2	1ppm	TWA
	塩素	Cl2	0.5ppm	TWA
	三フッ化塩素	ClF3	0.1ppm	STEL-C
そ の 他	一酸化炭素	CO	25ppm	TWA
	アンモニア	NH3	25ppm	TWA
	ジクロルシラン	SiH2Cl2	規定なし	（参考 : HCl STEL-C 2ppm）
	ジフロロシラン	SiH2F2	規定なし	（参考 : HF STEL-C 3ppm）
	亜酸化窒素	N2O	50ppm	TWA
	一酸化窒素	NO	25ppm	TWA
	二酸化窒素	NO2	3ppm	TWA
	二酸化硫黄	SO2	2ppm
	オゾン	O3	0.1ppm
MO 材 料	TEOS	Si(OC2H5)4	10ppm	TWA
	TDMAT	Ti[N(CH3)2]4	規定なし	（参考 : DMA TWA 5ppm）
	TDEAT	Ti[N(C2H5)2]4	規定なし	（参考 : DEA TWA 5ppm）
	TAETO	Ta[N(OC2H5)5	規定なし
	TBP	PH2[C(CH3)3]	規定なし
	TBA	AsH2[C(CH3)3]	規定なし	（参考 : Asおよび無機化合物 TWA 0.01mg/m3）
	TMA	Al(CH3)3	規定なし	（参考 : Alおよび化合物/アルキル化合物 TWA 2mg/m3）
	DMAH	AlH(CH3)2	規定なし	（参考 : Alおよび化合物/アルキル化合物 TWA 2mg/m3）
	TMG	Ga(CH3)3	規定なし
	TMI	In(CH3)3	規定なし	（参考 : Inおよび化合物 TWA 0.1mg/m3）
	TEA	As(OC2H5)3	規定なし	（参考 : Asおよび無機化合物 TWA 0.01mg/m3）
	TEASAT	AsO(OC2H5)3	規定なし	（参考 : Asおよび無機化合物 TWA 0.01mg/m3）
	TEP	P(OC2H5)3	規定なし
	TEOP	PO(OC2H5)3	規定なし

高圧ガス保安法では、ACGHI（American Conference of Govermental Industrial Hygienists）　TLV-TWA値（Threshold Limit Values-Time-Weght Average）が 用いられています。TLV-TWA は１日８時間、週４０時間の時間荷重平均濃度。 STEL は短時間暴露許容濃度

●　ＬＣ 50

一定期間暴露された一群の試験動物の５０％を死亡させることが 予想される物質の空気中の濃度を言います。 ※　median lethal consentration ：５０％致死濃度
ＩＳＯ規格では？
ISO 10298:1995
LC50 /１時間値　を採用し、さらに３グループに分類してます。

強毒性　：　LC50 ≦ ２００ ppm
毒　性　 ：　２００ ppm ＜ LC50 ≦ ５０００ ppm
非毒性　：　LC50 ≦ ５０００ ppm　

　⇒　高圧ガスの分類