膜形成方法（deposition）

LSI製造工程で薄膜を堆積する工程をいう。気相成長法（PVD，CVD，真空蒸着やスパッタリング法）を用いる。このほか膜形成の手段には，印刷法，スピンコート法，メッキ法などもある。かつては印刷法（スクリーン印刷）は厚膜形成，蒸着法などは薄膜形成と分かれていたが，最近ではスクリーン印刷法でも金属薄膜が形成できるようになった。

●　ドライプロセスの製膜法

真空蒸着やイオンプレーティング、スパッタリング、CVD、溶射等があります。

種類	メモ
真空蒸着法	真空中で物質を加熱蒸発させ、基板に物理的に付着させることによって薄膜 を作製。
分子線エピタキシー法	蒸発源セルの温度調整とセルシャッターによって分子線（原子線）の強度を精 度良く制御し、加熱した基板に入射する
スパッタリング法	真空容器内に導入した不活性ガスをイオン化して、そのイオンをターゲットに衝突させることにより、ターゲットの原子や分子、或いはクラスターを中性粒子として弾き出して、基板状に付着させる成膜法
イオンプレーティング法	イオンまたは励起粒子を利用した活性化蒸着
レーザー堆積法 レーザーアブレーション	Pulsed Laser Deposition 法、集光されたレーザー光を真空中に設置された固体薄膜原料に照射し、光科学反応を伴う爆発的な気化によって発生した励起科学種を対向する基板上に薄膜として堆積する方法。
CVD法	形成したい薄膜の構成元素をもった気体をウェハ上に流し，その表面で 化学反応を起こさせて薄膜を形成する方法。

●　ウェットプロセスの製膜法

　液相成長法は、低融点の金属を溶媒にし、溶質としての半導体結晶を飽和溶解させ、溶解度 の温度依存性を利用して過飽和状態にした溶質を種子結晶基板上に析出させて、 基板と同一の結晶方位を持つ単結晶を得る。
　そのほか、（インクジェット）塗布法、ゾル‐ゲル法、めっき法 高固形濃度、低年度に処方されたポリマー溶液の塗布して、相間絶縁膜の作製する手法等がある。回転している基板に薬液を吐出させる成膜技術（スピンコーティング）等が開発されている。

　⇒　気相成長（vapor phase growth）