固相拡散 ( Solid Phase Diffusion )

　現在の LSI 製造工程では不純物拡散はほぼ全て熱拡散がイオン注入に置き換わっている。しかし、デバイスの縮小とともに一部の工程ではイオン注入による浅接合形成に限界が見えてきていることから熱拡散技術の見直しが行われている。即ち、拡散領域をポリシリコン層等でカバーし、そこにイオン注入した後、doped layer を拡散源として RTP により拡散する固相拡散法である。これにより従来の電気炉固相拡散法の欠点であったドーパント濃度の絶対値の精度および深さ方向分布精度を改善することが出来る。

□　固相プラズマドーピング ( Solid Source Plasma doping )

　ドーパントガスの替わりにドーパントを含む固体スパッタターゲットをアルゴンガスでスパッタし、ドーパントを含むアルゴンガスプラズマを形成するタイプのプラズマドーピング装置。適当なドーピングガスが得られない不純物の場合に有効。

　⇒