新しい半導体結晶成長技術

　1983年〜1993年の半導体結晶成長研究は、化合物半導体のエピタキシ（ある結晶が他の結晶の表面において、特定の方位関係をとって成長すること）を中心として進められた。この研究は２つの方向に分化した。一方は、1983年までに高度化が進められていたMBE（分子線エピタキシャル法）やMOCVD（有機金属気相成長法）による結晶成長の研究をさらに進める方向であり、もう一方は、新しい成長技術を開発する方向である。新しい成長技術の開発において、VTE（蒸気輸送エピタキシャル法）やFME（流量変調エピタキシャル法）などとともに、MEE（マイグレーション・エンハンスト・エピタキシャル法）が提案された。

○ VTE（蒸気輸送エピタキシャル法）

○ FME（流量変調エピタキシャル法）

　原料ガスを交互に供給する流量変調（FME）法を用いたAlGaAs/GaAs系量子素子の策施例などがある。 　

○ MEE（マイグレーション・エンハンスト・エピタキシャル法）

　MEEはMBEをベースとした成長法であり、成長表面での吸着原子のマイグレーション（移動）を促進することが、その核心である。

　⇒　膜形成方法（deposition）
　⇒　エピタキシー（epitaxy）